AlN热沉

• 氮化铝热沉 • 厚膜工艺 • 预制金锡焊料 • CTE匹配半导体激光芯片 • 耐高压1000V
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SiC热沉

• 碳化硅热沉 • 单晶SiC基板 • 热导率 ≥370W/m*K • 预制金锡焊料 • CTE匹配半导体激光芯片 • 耐高压500V
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AIN热沉(For TO)

• 薄膜工艺 • 双面预制金锡焊料 • 基板热导率≥200W/m*K • 中低功率封装应用 • 接受定制化需求
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DPC厚膜陶瓷基板

• 铜厚30~100μm,TTV≤10μm • 铜面粗糙度Ra≤0.1μm • A/B面图形对位精度≤±20μm • 可做电镀金工艺 • 支持圆片、方片定制
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